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磁疇觀測克爾顯微鏡

簡要描述:磁疇觀測克爾顯微鏡是通過磁光克爾效應(yīng)來測量磁疇結(jié)構(gòu)。Neoark磁疇觀測顯微鏡對極向/縱向磁光克爾效應(yīng)都十分靈敏,因此成為磁性微結(jié)構(gòu)觀測的理想工具。

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  • 更新時間:2025-07-01
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磁疇觀測克爾顯微鏡

Neoark磁疇觀測顯微鏡是通過磁光克爾效應(yīng)來測量磁疇結(jié)構(gòu)。Neoark磁疇觀測顯微鏡對極向/縱向磁光克爾效應(yīng)都十分靈敏,因此成為磁性微結(jié)構(gòu)觀測的理想工具。該系統(tǒng)光源為100W的汞燈通過偏振片產(chǎn)生線偏振光,結(jié)合偏光顯微鏡使磁疇觀測,使其空間分辨率可以達到1mm,在實際測量時可達到1mm以下,非常有利于磁性微結(jié)構(gòu)。采用雙極電磁鐵產(chǎn)生外磁場,zui大可提供10KOe的外加磁場。


磁疇觀測系統(tǒng)、磁疇觀測顯微鏡、克爾顯微鏡、Magnetic Domain Observation Microscope、磁疇觀察顯微鏡、磁疇觀測克爾顯微鏡


當(dāng)一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度偏轉(zhuǎn)(克爾旋轉(zhuǎn)角),這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應(yīng)。是通過縱向/極向磁光克爾效應(yīng)來測量磁疇結(jié)構(gòu)。磁疇的存在導(dǎo)致了內(nèi)部磁化強度的區(qū)域分布不同,由于磁光克爾效應(yīng)的影響,導(dǎo)致了反射光光斑內(nèi)與材料內(nèi)部磁化區(qū)域相對應(yīng)的反射區(qū)域偏振態(tài)不同,偏振光經(jīng)過檢偏器后光斑的強度分布不同,從而得到磁疇結(jié)構(gòu)。


磁疇觀測顯微鏡采用100W的汞燈做為光源,經(jīng)過起偏器產(chǎn)生線偏振光作用于磁性材料,結(jié)合偏振顯微鏡觀測,觀測空間分辨率可達到1mm。在實際的測量中分辨率甚至可達到1mm以下,這非常有利于對微小區(qū)域磁性的觀察。因此該磁疇觀測系統(tǒng)成為磁性微結(jié)構(gòu)的理想觀測系統(tǒng)。


還可以觀測動態(tài)磁疇的變化。MOKE磁疇觀測顯微鏡裝配基礎(chǔ)觀測軟件和Flame movie 軟件可以實現(xiàn)連續(xù)的可選擇的磁場變化下磁疇圖像的連續(xù)觀測。采用雙極電磁鐵,可以提供的外加磁場強度高達10KOe。此外可以選配多種電磁體:四極磁體、偶極磁體以及螺線管磁體。外加磁場可以實現(xiàn)任意的磁場波形控制,能夠輕松地在樣品表面產(chǎn)生各種復(fù)雜的磁場。


上海昊量光電設(shè)備有限公司的磁疇觀測顯微鏡可分為兩類:


常規(guī)條件的磁疇觀測系統(tǒng)


該類型的主要包含BH-786系列和BH-785iPWF6。該系列使用的光源為汞燈,可以從極向和縱向?qū)Υ女犨M行觀測,并可以隨意切換觀測方向。采用白光觀測,使得標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的空間分辨率可到達1mm50倍物鏡).



條件的磁疇觀測設(shè)備(低溫高溫下)


該設(shè)備是用于變溫條件下磁疇的觀察。主要包含BH-7850系列。該克爾顯微鏡可以從極向/縱向兩個方向進行觀測??梢詫崿F(xiàn)在極低溫度條件下的磁疇觀測,測試溫度范圍可達到2.2-500K。


u  主要特點

  • 高分辨率(1mm

  • 高外加磁場

  • 高靈敏度

  • 高穩(wěn)定性

  • 可選配電磁體


u  主要應(yīng)用

磁性材料、磁性薄膜磁疇的動態(tài)靜態(tài)觀測等。


u  產(chǎn)品主要參數(shù)

產(chǎn)品型號

主要參數(shù)

BH-786IP

BH-786IWF8

BH-786iP-12

BH-785iPWF6

BH-7850 series(條件)

光源

汞燈

空間分辨率

20倍物鏡

2.5mm

面內(nèi)

1mm

面內(nèi)

1.5mm

面內(nèi)

1.5mm

20倍物鏡

2.5mm

50倍物鏡

1.0mm


極向

0.9mm



觀測面積

20倍物鏡

250175mm


20倍物鏡

250200mm

20倍物鏡

250200mm

20倍物鏡

250200mm

50倍物鏡

10070mm

50倍物鏡

10075mm




可產(chǎn)生磁場

>±10kOe=1T

>±0.2T


>±0.2T

>±0.2T

可測樣品大小

551tmm

~10101tmm

8英寸wafer

55~2020mm

1mmt

6英寸wafer


工作溫度

20~25

2.2~500K


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